首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进行系统综 2020年7月20日 碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法三种方法，具体如下： 1、固相法. 固相法是利用两种或两种以上的固相 碳化硅的制备方法
了解更多
2022年12月1日 实现碳化硅离子注入的方法. 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描 2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
了解更多
2024年5月6日 多晶碳化硅（polycrystalline SiC）的制备与应用面临着多重技术挑战，源于其复杂的多型性、晶界效应、苛刻的生长条件、微观结构的不均匀性、固有的缺陷问题以 本文将介绍碳化硅的制备方法。 碳化硅的制备方法主要包括从碳和硅源进行反应合成和在高温条件下进行热解等方法。具体的制备方法如下： 2.热解制备：碳化硅的热解制备方法 碳化硅 制备方法_百度文库
了解更多
2023年6月28日 《Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices and Applications》的重要技术和观点总结是：碳化硅具有优异的电学性能、高温 碳化硅的制备及应用最新研究进展. 碳化硅具有强度大,硬度高,弹性模量大,耐磨性好,导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具,陶瓷,冶金,半导体,耐火材料等领域.常 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 百度学术
了解更多
其原理是采用感应或电阻加热的方式对准密闭的坩埚系统加热，将作为生长源的固态混合物置于温度较高的坩埚底部，籽晶固定在温度较低的坩埚顶部，生长源在低压高温下升华分解产生气态物质，在由生长源与籽晶之间 2023年9月20日 %PDF-1.5 %âãÏÓ 352 0 obj > endobj 386 0 obj >/Filter/FlateDecode/ID[]/Index[352 78]/Info 351 0 R/Length 150/Prev 1051401/Root 353 0 R/Size 430/Type/XRef/W[1 3 1 ...纳米碳化硅的制备与应用研究进展
了解更多
2020年11月17日 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 京ICP备17067035号. 目前碳化硅单晶的制备方法主要有：物理气相传输法（PVT）；顶部籽晶溶液生长法（TSSG）；高温化学气相沉积法（HT-CVD）。. 其中TSSG法生长晶体尺寸较小目前仅用于实验室生长，商业化的技术路线主要是PVT ...知乎专栏 - 随心写作，自由表达 - 知乎
了解更多
2018年11月7日 碳化硅陶瓷的制备技术.ppt. 一、碳化硅的前沿 二、SiC粉末的合成 三、SiC的烧结方法 四、反应烧结碳化硅的成型工艺 五、碳化硅陶瓷的应用 1 碳化硅陶瓷材料具有高温强度大，高温抗氧化性 强、耐磨损性能好，热稳定性佳，热膨胀系数小， 热导率 Explore the advancements in semiconductor materials, focusing on the third-generation wide bandgap semiconductors represented by SiC.殉铭涣（SIC）莺砰腐档拐她达送渴揣（SIC）物哟茵魄积；
了解更多
2022年4月28日 碳化硅SiC MOSFET的制造工艺与工作原理. 碳化硅，一种不怎么新的材料. 史上最早记载的关于SiC材料的实验发生在1849年左右，当时这种材料已被广泛用于制作防弹衣或者磨料。. IGBT的发明者之一在1993年的文献 [1]中讨论了与硅 (Si)器件相比，不同SiC材料所具有的优越 ...2019年6月13日 因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。. 技术领先国家和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。. 第三代半导体器件的优势主要表现 系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇_材料
了解更多
知乎专栏提供一个平台，让用户自由表达观点和分享知识。碳化硅的应Leabharlann Baidu原理. 1. 碳化硅（Silicon Carbide，简称SiC）是一种耐高温、耐腐蚀性能优异的无机材料，具有高硬度、高导热性和优良的电子特性等优点。. 由于这些特性，碳化硅在众多领域中得到了广泛应用。. 本文将重点介绍碳化硅的几个主要应用原理 ...碳化硅的应用原理_百度文库
了解更多
Explore the freedom of expression and writing on Zhihu's dedicated column platform.2020年11月20日 目前碳化硅单晶的制备方法主要有：物理气相传输法（PVT）；顶部籽晶溶液生长法（TSSG）；高温化学气相沉积法（HT-CVD）。其中TSSG法生长晶体尺寸较小目前仅用于实验室生长，商业化的技术路线主要是PVT和HT-CVD，与HT-CVD法相比，采用 ...三种碳化硅的主要制备方法 - 电子发烧友网
了解更多
2023年6月28日 作者将书籍内容分为五个部分：第一部分介绍基础知识，包括硅碳化物的结构和性质；第二部分讨论材料的生长方法和表征技术；第三部分讨论硅碳化物器件的设计和制造；第四部分讨论硅碳化物技术在光电子和高温电子方面的应用；最后一部分总结了硅碳化物 ...2024年5月6日 碳化硅具有较大的宽带隙，这意味着其具有较高的击穿电压和较低的漏电流。. 这使得碳化硅晶圆在制造高压电子器件时具有显著的优势。. 晶圆的热膨胀系数较低，这意味着在温度变化时其尺寸变化较小。. 同时，碳化硅晶圆还具有良好的抗热震性，能够承受 碳化硅晶圆：特性与制造，一步了解 - ROHM技术社区
了解更多
2017年4月9日 重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展. 黄 进 吴昊天 万龙刚. 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司 河南洛阳471039 摘 要:从原料纯度及颗粒形状、成型方法、烧结温度及烧结气氛等方面阐述了重结晶碳化硅材料的制备工艺 及其特点，并与其他组成或性能相 碳化硅重结晶是一种重要的材料制备方法，它可以通过高温处理将碳化硅材料重新结晶，提高其晶粒尺寸和结晶度，从而改善其性能和应用范围。 本文将从碳化硅重结晶的原理、方法和应用等方面进行介绍。碳化硅重结晶的原理 - 百度文库
了解更多
2019年8月5日 目前制备泡沫陶瓷的材质主要有ZrO2、Si3N4、Al2O3、SiC等，最常见的是SiC泡沫陶瓷，是目前应用最有前景的无机高温材料。1.碳化硅泡沫陶瓷的性能特点 对于碳化硅泡沫陶瓷，其发展始于20世纪70年代。纳米碳化硅(SiC)材料因具有耐磨、耐腐蚀、强度高、高热导等优良的物理与化学性质而备受关注，其作为多功能材料可广泛用于国防、航空、汽车工业、化工、机械工业、电子工业和生物陶瓷等领域。本文在国内外相关文献的基础上，重点介绍了纳米SiC的常用制备方法及相关领域的潜在应用，并对 ...纳米碳化硅的制备与应用研究进展 - 汉斯出版社
了解更多
2021年6月20日 石墨烯的制备 方法不只一种，不论是中国石墨烯，还是国外，就目前情况而言，主要有四种： 微机械剥离法、SiC外延生长法、化学气相沉积法（CVD）、氧化还原法 。. 这四种石墨烯的制备方法各有优缺点，现在我们来一一说明。. 一、微机剥离法. 2024年6月25日 原理及工艺流程：CVD法通过将碳源和硅源气体（如甲烷和硅烷）引入反应室，在高温下发生化学反应，生成碳化硅并沉积在基片表面。反应温度通常在1200-1600℃之间。工艺优化与控制：控制反应气体的流量、温度和压力，可以调节沉积速率和薄膜质量。碳化硅基片的制备工艺详解，技术流程、应用领域与未来趋势
了解更多
Explore the Zhihu column for a platform that allows free expression and writing at will.2017年3月8日 总的来说，关于硅碳负极材料的研究大多向着更高能量密度、更大倍率充放电性能、稳定的循环性能和更好的安全性能等方面发展，开发大规模制备低成本、性能稳定的硅碳复合材料；少量应现于生产的基本采用了表面包覆改性等处理方法，来改善材料的加工学术干货∣关于锂电池硅碳负极材料，你不得不知的事儿 – 材料牛
了解更多
2017年4月21日 简述碳化硅的生产制备及其应用领域. [导读] 碳化硅具有良好的物理性能和化学性能，广泛的应用于耐磨材料、结构陶瓷、耐火材料和金属冶金中。. 同时随着传统资源的日益枯竭，光伏产业迅速发展，高品 二、碳化硅陶瓷的烧结பைடு நூலகம் 1、无压烧结 1974年美国GE公司通过在高纯度β－SiC细粉中同时加入少量的B和C，采用无压烧结工艺，于2020℃成功地获得高密度SiC陶瓷。目前，该工艺已成为制备SiC陶瓷的主要方法。碳化硅陶瓷及制备工艺_百度文库
了解更多
SiC质制品因制备方式、应用领域及形态等而多种多样。SiC陶瓷作为其中的一种，是陶瓷领域的一种高性能材料，尤其偏向于高强度、高硬度以及耐高温性能等，按其烧结方式可分为：反应烧结碳化硅(RBSiC)、无压固相烧结碳化硅(SSiC)、液相烧结碳化硅(LSiC)、热压烧结碳化硅(HPSiC)和再结晶碳化硅(RSiC)等。吸波材料在军用民用领域有重要的价值和意义。本文使用陶瓷结合剂与磁性金属粉末在不同温度下烧结制备出碳化硅陶瓷复合材料，并研究了碳化硅陶瓷复合材料的结构、形貌和吸波性能。在有氧条件下，较低温度(900℃)烧结时，添加磁性金属粉末可以提高碳化硅陶瓷复合材料的吸波性能，对反射波 ...碳化硅陶瓷复合材料的制备及其吸波性能研究 - 汉斯出版社
了解更多
碳化硅陶瓷的制备技术. 摩擦力小，坯体受力均匀，密度分布均一。. ff 5.1.3注浆成型（Slip Casting） SiC工艺利用石膏模具的吸水性，将制得. 的陶瓷浆料注入多孔质模具，由模具的气孔把 浆料中的液体吸出，而在模具中留下坯体。. 注 浆成型工艺成本低，过程简单 ...2020年8月27日 SiC陶瓷的制备通常有以下几种方法：. (1)无压烧结. 无压烧结法制备的SiC陶瓷，其致密度通常可达到98%，这主要是因为添加的烧结助剂，如铝溶胶、硅溶胶等，在高温下形成液相促进烧结，从而促进了陶瓷的致密化。. Omori等以氧化物作为烧结助剂，在较低的烧结 ...碳化硅制备常用的5种方法
了解更多
2019年8月5日 f. /SiC复合材料的研究进展. 摘要: NITE（nano-infiltration and transient eutectic）工艺作为一种制备碳化硅纤维增强碳化硅基（SiC f /SiC）复合材料的新方法，具备周期短、工艺简单、生产成本低等优点，制备出的复合材料基体致密、孔隙率低、不含残余硅，适用于1400℃及 ...摘要： 碳化硅具有强度大,硬度高,弹性模量大,耐磨性好,导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具,陶瓷,冶金,半导体,耐火材料等领域.常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法,机械粉碎法,溶胶–凝胶法,化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等.本文对SiC粉体的制备,碳化硅陶瓷 ...碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 百度学术
了解更多